一、什么叫手机闪存

闪存

闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。

概念

闪存是一种非易失性存储器，即断电数据也不会丢失。因为闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。

闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（记忆棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盘（MICRODRIVE）这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。

技术特点

NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。

单片机闪存

这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身*作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的*作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。

前面提到NAND型闪存的*作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它*作起来确实挺像硬盘（其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性），它的性能特点也很像硬盘：小数据块*作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。

闪存存取比较快速，无噪音，散热小。用户空间容量需求量小的，打算购置的话可以不考虑太多，同样存储空间买闪存。如果需要容量空间大的（如500G），就买硬盘，较为便宜，也可以满足用户应用的需求。

分类

按种类分

U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe闪存卡

按品牌分

金士顿、索尼、LSI、闪迪、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者、纽曼、威刚、联想、台电、微星、SSK。

【NAND型闪存】内存和NOR型闪存的基本存储单元是**t，用户可以随机访问任何一个**t的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节）。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资

Sandisk

料当中看到“（512+16）Byte”的表示方式。2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是（512+16）字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到（2048+64）字节。

NAND型闪存以块（sector）为单位进行擦除*作。闪存的写入*作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除*作是闪存的基本*作。一般每个块包含32个512字节的页（page），容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。

每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条，每条数据线每次传输（512+16）**t信息，8条就是（512+16）×8**t，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计，如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16**t的NAND型闪存，容量1Gb，基本数据单位是（256+8）×16**t，还是512字节。

寻址时，NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包，每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大，一组8位地址只够寻址256个页，显然是不够的，因此通常一次地址传送需要分若干组，占用若干个时钟周期。NAND的地址信息包括列地址（页面中的起始*作地址）、块地址和相应的页面地址，传送时分别分组，至少需要三次，占用三个周期。随着容量的增大，地址信息会更多，需要占用更多的时钟周期传输，因此NAND型闪存的一个重要特点就是容量越大，寻址时间越长。而且，由于传送地址周期比其他存储介质长，因此NAND型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。

[1]而比我们平常用的U盘存储量更大，速度更快的闪存产品要属PCIe闪存卡了，它采用低功耗，高性能的闪存存储芯片，以提高应用程序性能。由于它们直接插到服务器中，数据位置接近服务器的处理器，相比其它通过基于磁盘的存储网络路径来获取信息大大节省了时间。企业正在转向这种技术以解决存储密集

型工作负载，比如事务处理应用。在PCIe闪存卡方面，LSI公司新的Nytro产品，扩大其基于闪存的应用加速技术到各种规模的企业。LSI推出了三款产品，到一个正变得越来越拥挤的PCIe闪存适配器卡市场。LSI Nytro产品战略中的一部分，LSI公司的WarpDrive卡上，采用闪存存储、LSI的SAS集成控制器和来自公司收购的闪存控制器制造商SandForce的技术。其第二代基于PCIe的应用加速卡容量从200GB到3.2TB不等。Nytro XD应用加速存储解决方案的软件和硬件的组合。它集成了WarpDrive卡与Nytro XD智能高速缓存软件，以提高在存储区域网络(SAN)和直接附加存储(DAS)实现中的I/O速度。后，还有Nytro MegaRAID应用加速卡，它结合了MegaRAID控制器与板载闪存和缓存软件，LSI公司将Nytro MegaRAID的定位面向低端，针对串行连接SCSI(SAS)DAS环境的性能增强解决方案。

微软的SQL Server产品管理主管Claude Lorenson，看好LSI的闪存产品在微软服务器环境中的未来。因为 LSI的闪存产品Nytro MegaRAID可以帮助微软SQL实现了每秒交易的10倍增长，

[1]“闪存存储技术，如LSI的Nytro应用加速产品组合，可以用来加速关键业务应用，如SQL Server 2012”，Lorenson在一份公司的声明中表示“随着微软将在Windows Server 8中提供的增强，这些技术的重要性将继续增长。”

存储原理

要讲解闪存的存储原理，还是要从EPROM和EEPROM说起。

EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞），常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0。若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。

EEPROM基本存储单元电路的工作原理如下图所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。

闪存的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。到后来，随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管（1T）的设计，主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅，

在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。

闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。

写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。

读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。

总体来说就是可以存储的设备

以上参考：

二、怎么看苹果手机处理器

问题一：如何查看iphone处理器型号首先请打开 iPhone上的 App Store应...

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在 App Store里，先点击底部的【搜索...

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接下来请点击【获取安装】按钮继续，如...

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随后请输入 Apple ID账号的密码，或使...

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第一次运行该软件时，请点击 Not Now...

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随后便会看到当前 iPhone上所使用的 C...

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此外也可以点击底部的 Menu栏目，然后...

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问题二：怎么查看苹果手机的cpu lirum device info lite参考一下这个软件里面对硬件的监测比较全面

问题三：怎么查苹果手机处理器首先请打开 iPhone上的 App Store应用，如下图所示

在 App Store里，先点击底部的【搜索】栏目，然后在搜索框中搜索 Lirum Device Info Lite这款应用。

接下来请点击【获取安装】按钮继续，如下图所示

随后请输入 Apple ID账号的密码，或使用 Touch ID指纹识别来**应用软件。

第一次运行该软件时，请点击 Not Now按钮继续，如图所示

随后便会看到当前 iPhone上所使用的 CPU处理器型号了，在 Model一栏的便是 CPU型号。区分方法如下：

iPhone 6S Plus三星为N66AP，台积电是N66mAP；

iPhone 6S三星为N71AP，台积电是N71mAP；

对照自己的 iPhone6S检测出来的型号，便可以知道是哪一家的处理器了。

此外也可以点击底部的 Menu栏目，然后再点击 CPU一栏，查看处理器的详细信息。

如下图所示，在 CPU详细列表的底部可以看到 Manufacturer一栏，在这里为 TSMC即为台积电的。

后想要告诉大家的是，不要误信网上谣传的一些关于二个 CPU处理器之间的一些谣言。无论是台积电的 CPU处理器也好，还是三星的也罢，它们在性能上以及功耗上都是相差不大的，所以也没有必要去纠结。

问题四：怎么看到苹果手机的处理器型号 1~首先请打开 iPhone上的 App Store应用

2~在 App Store里，先点击底部的【搜索】栏目，然后在搜索框中搜索 Lirum Device Info Lite这款应用。

3~接下来请点击【获取安装】按钮继续

4~随后请输入 Apple ID账号的密码，或使用 Touch ID指纹识别来**应用软件

5~第一次运行该软件时，请点击 Not Now按钮继续

6~随后便会看到当前 iPhone上所使用的 CPU处理器型号了，在 Model一栏的便是 CPU型号。区分方法如下：

iPhone 6S Plus三星为N66AP，台积电是N66mAP；

iPhone 6S三星为N71AP，台积电是N71mAP；

对照自己的 iPhone6S检测出来的型号，便可以知道是哪一家的处理器了

7~此外也可以点击底部的 Menu栏目，然后再点击 CPU一栏，查看处理器的详细信息

问题五：苹果手机cpu怎么查看苹果的A9处理器分别来自三星和台积电这两个不同代工厂，而且采用了不同的制程工艺，理论面积越小同频电压越低，同时功耗越低。那么，你心爱的iPhone6s/6s Plus究竟搭载了哪个代工厂的CPU呢？

近日，苹果iPhone 6s/6s Plus搭载的A9处理器又成为了一个科技圈的热门话题，究其原因，其实是苹果的A9处理器分别来自三星和台积电这两个不同代工厂，三星生产的版本则是采用14nm制程，台积电的则是16nm制程，理论面积越小同频电压越低，同时功耗越低。但是，经过网友的对比发现并非如此，测试中，三星继续高热，台积电继续凉爽。温度差距在5度左右。（中间三星出现一次闪退）

那么，我们今天就来教大家一招方便又快捷的方法来辨别自己手上的iPhone 6s究竟搭载了来自哪个代工厂的A9处理器，教程开始（必备工具：iPhone 6s/6s Plus）：

1、使用Safari浏览器打开，在页面中点击“Install”。

2、点击安装。

3、安装完成后该应用还无法打开。

4、打开设置，找到“描述文件”。（设置-通用-描述文件）

5、在描述文件中选择“Guangzhou Huimei Elec...”这个企业级应用。

6、点击信任（用完之后点击删除即可）。

7、此时该应用就能正常打开了，打开之后就会看到你的A9处理器是哪家代工的。我分别拿了壕同事的iPhone 6s和iPhone 6s Plus测试。

问题六：怎么查看iphone的cpu型号先打设置-隐私

往下滑找到“诊断与用量”

打开“诊断与用量数据”

找到类似“JetsamEvent-XXXX-XX-XX-XXXXXX.ips”的一列，随便一个都可以，只要开头是“JetsamEvent“；结尾是ips都可以，点进去

字符串"ARM64_s8XXX就是处理器版本了，S8000是三星型号；S8003是台积电型号。

问题七：怎么看苹果手机是什么处理器苹果4的是A4处理器；

苹果4s的是A5处理器；

苹果5、5c是A6处理器；

苹果5s是A7处理器；

苹果6、6plus是A8处理器。

新A8处理器介绍：

新一代A8芯片比A7芯片CPU性能提升25%，图形性能提高了50%，并且由于采用了20nm的工艺，因此效能也比之前出色。官方数据表现两款

iPhone 6的续航表现均比上一代有所提升。为了充分发挥A8芯片和iOS

8的图形处理性能，苹果推出了Metal技术，开发者可为iPhone制作出逼真度更高的主机风格游戏。Metal技术专为让**处理器和图形处理器互相

配合而优化，从而呈现细致入微的图像和复杂的视觉特效。

M8运动协处理器会持续测量来自加速感应器、指南针、陀螺仪和全新气压计的数据，为A8芯片分担更多的工作量，从而提升了效能。不仅如此，这些传感器现在还具备更多功能，比如可以测量你行走的步数、距离和海拔变化。

问题八：iPhone6s/6s Plus处理器版本怎么看众所周知，苹果iPhone 6s和iPhone 6s Plus的A9处理器有两个版本，分别是台积电代工的16nm工艺A9芯片和三星代工的14nm工艺A9芯片。日前，根据国外多家媒体对两个版本的A9处理器进行的续航测试发现，台积电16nm芯片要比三星14nm芯片续航更长一些。不同工艺的A9芯片在续航方面存在着不小的差距，这也让很多消费者苦恼，花一样的钱买同一品牌手机，自然是希望拿到续航更长的iPhone6s版本。

而iPhone 6S搭载的A9处理器版本是随机出现的，并无规律可循。那么问题来了，怎样才知道自己买到的iPhone 6s的A9芯片是谁家的?

如果要拆机看编号那也实在是太折腾了，现在只需要**一个应用软件就可以查看A9处理器版本。

在苹果App Store商店**一款名为“Lirum Device Info Lite”的应用软件。

只需打开该软件，就能检测手机的系统信息。

在存储与型号信息(Storage and Model Information)中查看型号编号就能知道A9处理器的版本。

型号编号对应如下：

iPhone 6S：

N71AP-三星

N71MAP-台积电

iPhone 6S Plus：

N66AP-三星

N66MAP-台积电

随着更多的网友加入测试中来，两款不同工艺A9芯片的差距也被不断放大。这时，苹果官方终于针对此事做出了说明。

苹果公司的声明全文如下：

“iPhone 6S及iPhone 6S Plus上采用苹果设计的A9芯片，它是世界上先进的芯片。我们的芯片满足苹果的高标准，可提供令人难以置信的性能，并可帮助手机获得良好的续航能力，这与iPhone 6S的颜色或型号无关。

一些实验室的测试方法，包括通过运行大量运算程序，让处理器持续饱和工作直至电池耗尽，并不能代表现实世界中的使用情况，因为CPU不会在日常使用中有这种状态，这是一种对现实世界中的电池续航能力的误导。

根据我们的测试和用户的数据显示，即使考虑到误差，iPhone 6S和6S Plus上采用的两种芯片续航差异只在2-3%之间。”

问题九：怎么看iphone是什么cpu百度查型号对应的CPU就行啊

同一型号上的iPhone的CPU都是同一型号的

三、闪存芯片的简介

我们常说的闪存其实只是一个笼统的称呼，准确地说它是非易失随机访问存储器（NVRAM）的俗称，特点是断电后数据不消失，因此可以作为外部存储器使用。

而所谓的内存是挥发性存储器，分为DRAM和SRAM两大类，其中常说的内存主要指DRAM，也就是我们熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。闪存也有不同类型，其中主要分为NOR型和NAND型两大类。

NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身*作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的*作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。

前面提到NAND型闪存的*作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它*作起来确实挺像硬盘（其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性），它的性能特点也很像硬盘：小数据块*作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。 NAND型闪存以块为单位进行擦除*作。闪存的写入*作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除*作是闪存的基本*作。一般每个块包含32个512字节的页，容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。

每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条，每条数据线每次传输（512+16）**t信息，8条就是（512+16）×8**t，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计，如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16**t的NAND型闪存，容量1Gb，基本数据单位是（256+8）×16**t，还是512字节。每一页的容量决定了一次可以传输的数据量，因此大容量的页有更好的性能。前面提到大容量闪存（4Gb）提高了页的容量，从512字节提高到2KB。页容量的提高不但易于提高容量，更可以提高传输性能。我们可以举例子说明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M为例，前者为1Gb，512字节页容量，随机读（稳定）时间12μs，写时间为200μs；后者为4Gb，2KB页容量，随机读（稳定）时间25μs，写时间为300μs。假设它们工作在20MHz。

读取性能：NAND型闪存的读取步骤分为：发送命令和寻址信息→将数据传向页面寄存器（随机读稳定时间）→数据传出（每周期8**t，需要传送512+16或2K+64次）。

K9K1G08U0M读一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+12μs+（512+16）×50ns=38.7μs；K9K1G08U0M实际读传输率：512字节÷38.7μs=13.2MB/s；K9K4G08U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+25μs+（2K+64）×50ns=131.1μs；K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷131.1μs=15.6MB/s。因此，采用2KB页容量比512字节也容量约提高读性能20%。

写入性能：NAND型闪存的写步骤分为：发送寻址信息→将数据传向页面寄存器→发送命令信息→数据从寄存器写入页面。其中命令周期也是一个，我们下面将其和寻址周期合并，但这两个部分并非连续的。

K9K1G08U0M写一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+（512+16）×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M实际写传输率：512字节÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M写一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+（2K+64）×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M实际写传输率：2112字节/405.9μs=5MB/s。因此，采用2KB页容量比512字节页容量提高写性能两倍以上。以往NAND型闪存的数据线一般为8条，不过从256Mb产品开始，就有16条数据线的产品出现了。但由于控制器等方面的原因，x16芯片实际应用的相对比较少，但将来数量上还是会呈上升趋势的。虽然x16的芯片在传送数据和地址信息时仍采用8位一组，占用的周期也不变，但传送数据时就以16位为一组，带宽增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16芯片，它每页仍为2KB，但结构为（1K+32）×16**t。

模仿上面的计算，我们得到如下。K9K4G16U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+25μs+（1K+32）×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M实际读传输率：2KB字节÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M写一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+（1K+32）×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M实际写传输率：2KB字节÷353.1μs=5.8MB/s

可以看到，相同容量的芯片，将数据线增加到16条后，读性能提高近70%，写性能也提高16%。工作频率的影响很容易理解。NAND型闪存的工作频率在20～33MHz，频率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M为例时，我们假设频率为20MHz，如果我们将频率提高一倍，达到40MHz，则

K9K4G08U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×25ns+25μs+（2K+64）×25ns=78μs。K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷78μs=26.3MB/s。可以看到，如果K9K4G08U0M的工作频率从20MHz提高到40MHz，读性能可以提高近70%！当然，上面的例子只是为了方便计算而已。在三星实际的产品线中，可工作在较高频率下的应是K9XXG08UXM，而不是K9XXG08U0M，前者的频率可达33MHz。制造工艺可以影响晶体管的密度，也对一些*作的时间有影响。譬如前面提到的写稳定和读稳定时间，它们在我们的计算当中占去了时间的重要部分，尤其是写入时。如果能够降低这些时间，就可以进一步提高性能。90nm的制造工艺能够改进性能吗？答案恐怕是否！实际情况是，随着存储密度的提高，需要的读、写稳定时间是呈现上升趋势的。前面的计算所举的例子中就体现了这种趋势，否则4Gb芯片的性能提升更加明显。

综合来看，大容量的NAND型闪存芯片虽然寻址、*作时间会略长，但随着页容量的提高，有效传输率还是会大一些，大容量的芯片符合市场对容量、成本和性能的需求趋势。而增加数据线和提高频率，则是提高性能的有效途径，但由于命令、地址信息占用*作周期，以及一些固定*作时间（如信号稳定时间等）等工艺、物理因素的影响，它们不会带来同比的性能提升。

1Page=（2K+64）Bytes；1Block=（2K+64）B×64Pages=（128K+4K)Bytes；1Device=（2K+64）B×64Pages×4096Blocks=4224M**ts

其中：A0～11对页内进行寻址，可以被理解为“列地址”。

A12～29对页进行寻址，可以被理解为“行地址”。为了方便，“列地址”和“行地址”分为两组传输，而不是将它们直接组合起来一个大组。因此每组在后一个周期会有若干数据线无信息传输。没有利用的数据线保持低电平。NAND型闪存所谓的“行地址”和“列地址”不是我们在DRAM、SRAM中所熟悉的定义，只是一种相对方便的表达方式而已。为了便于理解，我们可以将上面三维的NAND型闪存芯片架构图在垂直方向做一个剖面，在这个剖面中套用二维的“行”、“列”概念就比较直观了。