ddr3双面内存？ddr3代内存到底是单面的好还是双面的好
一、笔记本内存条ddr2和ddr3一样吗
这两条内存用在同一台笔记知本，有可能不兼容。
1、2GB 2Rx8 PC2-5300s-555-12，道意思是容量回2G，双面8颗粒，DDR2667，内存时序为555-12。
2、512MB 2Rx16 PC2-4200S-意思是容量512M，双面8颗粒，DDR2533，内存时序为444-11。
3、两条内存，频率不一样，时序不一样，DDR2主板没有自动降频的功能，所以在一起使答用容易不稳定。
DDR：
DDR采用一个周期来回传递一次数据，因此传输在同时间加倍，因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观，以等效的方式命名，因此命名为DDR 200 266 333 400。
DDR2：
DDR2尽管工作频率没有变化，数据传输位宽由DDR的2**t变为4**t，那么同时间传递数据是DDR的两倍，因此也用等效频率命名，分别为DDR2 400 533 667 800。
DDR3：
DDR3内存也没有增加工作频率，继续提升数据传输位宽变为8**t，为DDR2两倍，因此也在同样工作频率下达到更高带宽，因此用等效方式命名DDR3 800 1066 1333 1600。
所以可以看到，如DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600内存工作频率没有区别，只是由于传输数据位宽倍增，导致带宽的增加。
而内存的真正工作频率决定于延迟，DDR400与DDR2 800真实工作频率相同，后者带宽是前者一倍，延迟上一样。如果是DDR400与DDR2 667，那后者虽然带宽更大，不过其真实频率反而低一些，延迟上略大。
DDR2与DDR的区别：
1、速率与预取量
DDR2的实际工作频率是DDR的两倍，DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4**t预期能力。
2、封装与电压
DDR封装为TSOPII，DDR2封装为FBGA；
DDR的标准电压为2.5V，DDR2的标准电压为1.8V。
3、**t pre-fetch
DDR为2**t pre-fetch，DDR2为4**t pre-fetch。
4、新技术的引进
DDR2引入了OCD、ODT和POST
（1）ODT：ODT是内建核心的终结电阻，它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射。
（2）Post CAS：它是为了提高DDR2内存的利用效率而设定的。
在没有前置CAS功能时，对其他L-Bank的寻址*作可能会因当前行的CAS命令占用地址线而延后，并使数据I/O总线出现空闲，当使用前置CAS后，消除了命令冲突并使数据I/O总线的利率提高。
（3）OCD（Off-Chip Driver）：离线驱动调整，DDR2通过OCD可以提高信号的完整性 OCD的作用在于调整DQS与DQ之间的同步，以确保信号的完整与可靠性，OCD的主要用意在于调整I/O接口端的电压，来补偿上拉与下拉电阻值，目的是让DQS与DQ数据信号间的差降低到小。
调校期间，分别测试DQS高电平和DQ高电平，与DQS低电平和DQ高电平时的同步情况，如果不满足要求，则通过设定突发长度的地址线来传送上拉/下拉电阻等级，直到测试合格才退出OCD*作。
DDR3与DDR2的区别：
1、DDR2为1.8V，DDR3为1.5V。
2、DDR3采用CSP和FBGA封装，8**t芯片采用78球FBGA封装，16**t芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。
3、逻辑Bank数量，DDR2有4Bank和8Bank，而DDR3的起始Bank8个。
4、突发长度，由于DDR3的预期为8**t,所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定位8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的；
DDR3为此增加了一个4-**tBurst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取*作加上一个BL=4的写入*作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A112位地址线来控制这一突发模式。
5、寻址时序（Timing），DDR2的AL为0~4，DDR3为0、CL-1和CL-2，另外DDR3还增加了一个时序参数——写入延迟（CWD）。
6、**t pre-fetch：DDR2为4**t pre-fetch,DDR3为8**t pre-fetch。
7、新增功能，ZQ是一个新增的引脚，在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻，新增*露SRT（Self-Reflash Temperature）可编程化温度控制存储器时钟频率功能。
新增PASR（PartialArray Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以说针对整个存储器Bank做更有效的数据读写以达到省电功效。
8、DDR3的参考电压分成两个，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效低提高系统数据总线的信噪等级。
9、点对点连接（point-to-point,p2p），这是为了提高系统性能而进行的重要改动。
二、金士顿ddr3 1333双面的和单面的内存条兼容么!
理论上，只要同是ddr3，就是兼容的。
实际上，因为厂家不同，内存颗粒品牌不同，有些内存条是互相不兼容的。
兼容和不兼容，于单面双面无关。
同一个厂家品牌，同样造型的内存条，兼容的可能性更大。
所以，选择同一个厂家品牌的内存条就好了。单面双面没关系。如果真碰上同一个品牌的内存都不兼容，只能说你中奖了。
三、ddr3代内存到底是单面的好还是双面的好
三星不是生产这类东西的厂商？
卸掉海盗船高端内存散热片，你会看见三星的TCCD颗粒
三星也生产内存条，就用自己的颗粒，三星金条DDR400一般是TCCC，UCCC颗粒的，个别有TCCD之类的极品，品质比Kingston现代普条好很多。
一般来说，相同容量，单面的好，但是DDR内存的极品是TCCD颗粒的内存，这种颗粒只有32M颗粒，因此双面是512M，单面256M
推荐三星金条，如果是－TCCD就是极品，－TCC5，－CCC也凑合
技术嘛，大容量颗粒的技术高，比较新，相同容量，单面的代表高技术，至少它省Bank，但是初期的大容量颗粒的性能往往没有稍小容量的颗粒技术成熟，因此性能偏低，不过三星新的UCCC颗粒（64M）的性能已经比大部分32M颗粒要好。（虽然还是比不上自己的TCCD）
四、金士顿ddr31333双面的和单面的内存条兼容吗
理论上，只要同是ddr3，就是兼容的。
实际上，因为厂家不同，内存颗粒品牌不同，有些内存条是互相不兼容的。
兼容和不兼容，于单面双面无关。
同一个厂家品牌，同样造型的内存条，兼容的可能性更大。
所以，选择同一个厂家品牌的内存条就好了。单面双面没关系。如果真碰上同一个品牌的内存都不兼容，只能说你中奖了。
