一、现代内存颗粒怎么识别

认识内存颗粒编号含义认识内存的性能参数一般方法是读取SPD芯片中的信息,但由于SPD信息需要在开机状态下查看,而且有一些不法商家也会刷写SPD芯片中的信息来欺*消费者。因此,认识内存更好的办法是识别内存颗粒的编号,当然不能是被打磨过的。通过查看颗粒编号的含义,可以更好地识别内存是否为正品。下面我们以市面上常见的HY内存颗粒为例简单介绍内存颗粒编号的含义。上图HY内存颗粒的编号为HY5DU56822BT-D43这串编号是由14组数字组成的,这14组数字代表着14组不同的重要参数,分别如下:??“HY”是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。??“5D”是内存芯片类型为DDR,57则为SD类型。??“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V:VDD=3.3V& VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V& VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V& VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V& VDDQ=1.8V)??“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新)??“8”是内存条芯片结构,代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片)??“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)??“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)??“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)??能源消耗,空白代表普通;L代表低功耗型,该内存条的能源消耗代码为空,因此为普通型。??封装类型用“T”表示,即TSOP封装。(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA)??封装堆栈,空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC),上述内存为空白,代表是普通封装堆栈。??封装原料,空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。??“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400,3-3-3;D4=DDR400,3-4-4;J=DDR333;M=DDR333,2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)??工作温度,一般被省略。I=工业常温(-40~85度);E=扩展温度(-25~85度)因此,通过编号“HY5DU56822BT-D43”的内存颗粒我们可以了解到,这是一款DDR SDRAM内存,容量为256MB,采用TSOP封装,速度为DDR400。由上面各个编号可以看出,其中重要的是第13个编号,它明确的告诉我们这款内存实际的高工作频率是怎样。例如你的内存的颗粒第13位编号是“J”,而又运行在DDR400的频率下,那么这款内存很可能是被超频使用,超频使用的内存不仅稳定性能大打折扣,而且其寿命也会受到影响。

二、如何看内存颗粒识内存大小

比方：内存颗粒的编号为HY5DU56822BT-D43

这串编号是由14组数字组成的，这14组数字代表着14组不同的重要参数，分别如下：

·“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

·“5D”是内存芯片类型为DDR，57则为SD类型。

·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V：VDD=3.3V& VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V& VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V& VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V& VDDQ=1.8V)

·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新)

·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)

·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)

·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)

·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)

·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。

·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)

·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。

·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。

·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)

·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)

里面有更详细更全面的介绍，你看看

三、内存颗粒怎么看

金士顿可以说是世界第一大内存生产厂商，其使用的内存颗粒，既有金士顿自己研发的产品颗粒，更多的则是采用其他厂商生产的内存颗粒，如今市面上营销多用到的就是海力士颗粒和镁光颗粒的。

金士顿厂家生产的内存条所使用的常见内存颗粒如下：

1. MOSEL茂矽颗粒

2. Winbond华帮

3. Toshiba日本东芝

4. Samsung三星颗粒

5. Infineon英飞凌颗粒

6. PSC力晶颗粒

7. NANYA南亚颗粒

8. HYNIX现代颗粒

9. Hynix海力士颗粒

10. ELPIDA尔必达颗粒

11. Micron镁光

内存条由芯片、PCB电路板以及一些电阻、电容组成，外观标识较少，大多没有正式的外包装，普通消费者单从外观上很难判断其优劣，在选购时就更应该留神。较常见的内存**方法是用劣质货冒充名牌产品。内存芯片出厂需经前工序、后工序和检验工序三个步骤。

扩展资料：

1.金士顿的高频内存有采用"Hynix"D43颗粒和Winbond的内存颗粒的金士顿DDR400、DDR433-DDR500内存等，其分属ValueRam系列（经济型）和HyperX系列。

2.金士顿的ValueRam系列，价格与普通的DDR400一样，但其可以超频到DDR500使用。而金士顿的HyperX系列其超频性也不错，金士顿 500MHz的HyperX超频内存（HyperX PC4000）有容量256MB、512MB单片包装与容量512MB与1GB双片的包装上市，其电压为2.6伏特，采用铝制散热片加强散热，使用三星K4H560838E-TCCC芯片，在DDR400下的CAS值为2.5，DDR500下的CAS值为3，所以性能也一般。

3.虽然金士顿和KingMax、Apacer这类品牌内存都使用的自己生产的颗粒，假冒产品较少。但是还有手段高超的奸商“造”出了假货，近在市场就上出现了仿冒的金士顿内存，其使用的是三星的原厂内存进行仿冒的。不过假冒内存条的识别方法也很简单，只需要注意在PCB板上印有SUNSAMG的字样（由于工艺问题**者还不太容易将其去掉）我们在购买的时候也可以看产品是否具有代理商提供的防伪标签，并且可以拨打防伪电话辨别真伪。

四、内存和内存颗粒是什么关系

samsung内存

具体含义解释：

例：samsungk4h280838b-tcb0

主要含义：

第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表dram。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64m**t的容量；28、27、2a代表128m**t的容量；56、55、57、5a代表256m**t的容量；51代表512m**t的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128m**ts，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128m**ts（兆数位）×16片/8**ts=256mb（兆字节）。

注：“**t”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。

hynix(hyundai)现代

现代内存的含义：

hy5dv641622at-36

hyxxxxxxxxxxxxxxxx

123456789101112

1、hy代表是现代的产品

2、内存芯片类型：(57=sdram，5d=ddrsdram)；

3、工作电压：空白=5v，v=3.3v,u=2.5v

4、芯片容量和刷新速率：16=16m**ts、4kref；64=64m**ts、8kref；65=64m**ts、4kref；128=128m**ts、8kref；129=128m**ts、4kref；256=256m**ts、16kref；257=256m**ts、8kref

5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

6、bank数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个bank，是2的幂次关系

7、i/o界面：1:sstl_3、 2:sstl_2

8、芯片内核版本：可以为空白或a、b、c、d等字母，越往后代表内核越新

9、代表功耗：l=低功耗芯片，空白=普通芯片

10、内存芯片封装形式：jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ

11、工作速度：55:183mhz、5:200mhz、45:222mhz、43:233mhz、4:250mhz、33:300nhz、l:ddr200、h:ddr266b、 k:ddr266a

现代的mbga封装的颗粒

infineon（英飞凌）

infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128m**ts的颗粒和容量为256m**ts的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是容易的。

hyb39s128400即128mb/4**ts，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：hyb39s128800即128mb/8**ts；hyb39s128160即128mb/16**ts；hyb39s256800即256mb/8**ts。

infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号后加一短线，然后标上工作速率。

-7.5——表示该内存的工作频率是133mhz；

-8——表示该内存的工作频率是100mhz。

例如：

1条kingston的内存条，采用16片infineon的hyb39s128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128m**ts（兆数位）×16片/8=256mb（兆字节）。

1条ramaxel的内存条，采用8片infineon的hyb39s128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128m**ts（兆数位）×8片/8=128mb（兆字节）。

kingmax、kti

kingmax内存的说明

kingmax内存都是采用tinybga封装（tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。kingmax内存颗粒有两种容量：64m**ts和128m**ts。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注：

ksva44t4a0a——64m**ts，16m地址空间×4位数据宽度；

ksv884t4a0a——64m**ts，8m地址空间×8位数据宽度；

ksv244t4xxx——128m**ts，32m地址空间×4位数据宽度；

ksv684t4xxx——128m**ts，16m地址空间×8位数据宽度；

ksv864t4xxx——128m**ts，8m地址空间×16位数据宽度。

kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：

-7a——pc133/cl=2；

-7——pc133/cl=3；

-8a——pc100/cl=2；

-8——pc100/cl=3。

例如一条kingmax内存条，采用16片ksv884t4a0a-7a的内存颗粒制造，其容量计算为：64m**ts（兆数位）×16片/8=128mb（兆字节）。

micron（美光）

以mt48lc16m8a2tg-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

含义：

mt——micron的厂商名称。

48——内存的类型。48代表sdram；46代表ddr。

lc——供电电压。lc代表3v；c代表5v；v代表2.5v。

16m8——内存颗粒容量为128m**ts，计算方法是：16m（地址）×8位数据宽度。

a2——内存内核版本号。

tg——封装方式，tg即tsop封装。

-75——内存工作速率，-75即133mhz；-65即150mhz。

实例：一条micronddr内存条，采用18片编号为mt46v32m4-75的颗粒制造。该内存支持ecc功能。所以每个bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为：容量32m×4**t×16片/8=256mb（兆字节）。

winbond（华邦）

含义说明：

wxxxxxxxx

12345

1、w代表内存颗粒是由winbond生产

2、代表显存类型：98为sdram，94为ddrram

3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为b和h；

4、代表封装，h为tsop封装，b为bga封装，d为lqfp封装

5、工作频率:0：10ns、100mhz；8：8ns、125mhz；z：7.5ns、133mhz；y：6.7ns、150mhz；6：6ns、166mhz；5：5ns、200mhz

mosel（台湾茂矽）

台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为v54c365164vdt45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8mb，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16**t，从编号的后3位t45可知颗粒速度为4.5ns

nanya（南亚）、elixir、pqi、pluss、atl、eudar

南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为nt5sv8m16ct-7k，其中第4位字母“s”表示是sdram显存，6、7位8m表示单颗粒容量8m，8、9位16表示单颗粒位宽16**t，-7k表示速度为7ns。

v-data（香港威刚）、a-data（台湾威刚）、vt

内存颗粒编号为vdd8608a8a-6b h0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256m容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周